セラミック材料
TaC被覆黒鉛炉部品
SiCとAINの結晶成長について
モメンティブテクノロジーズはタンタルカーバイド(TaC)として知られる独自のコーティング技術を提供いたします。 TaCは、高温安定性、高純度、高耐薬品性により、黒鉛と接触するコンタミネーションを抑制し、黒鉛部品の寿命を延ばします。
昇華化学量論を維持。
最終的に、TaCコーティングされたグラファイトコンポーネントは、物理的気相輸送（PVT）と高温化学気相成長（HT-CVD）を介して、SiCとAlN結晶成長におけるプロセスの歩留まりと結晶品質を向上させます。
製品の特長
- >2200℃での高温安定性
- 超高純度
- SiおよびHに対する耐性
- 耐熱衝撃性
- グラファイトへの高接着性
- コーティングカバレッジ性
- 直径750mmまでの拡張性
主な用途
- るつぼ
- 蓋
- 種子ホルダー
- リング
- インジェクター
- サセプター
高い結晶性と均一性を持つTaCコーティング
TaCコーティングと高純度リサーチグレードグラファイトの比較
| 単位 (ppm. wt.) | B | N | O | Si | S | Cl | Nb |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
単位 (ppm. wt.)
TaC |
B
<0.01 |
N
15 |
O
40 |
Si
<0.01 |
S
<0.01 |
Cl
14 |
Nb
14 |
|
単位 (ppm. wt.)
グラファイト |
B
1 |
N
480 |
O
260 |
Si
2 |
S
5 |
Cl
2 |
Nb
<0.01 |
TaCコーティンググラファイトルツボと従来のグラファイトルツボで成長させたSiCウェハーの代表的な欠陥の比較
TaCコーティンググラファイトルツボと従来のグラファイトルツボで成長させたSiCウェハーの代表的な電気的特性の比較
| 容積濃度 | 体抵抗率 | 流動性 | |
|---|---|---|---|
|
TaC |
容積濃度
8 x1015/cm |
体抵抗率
4.5 Ω・cm |
流動性
237cm2/Vs |
|
グラファイト |
容積濃度
5 x1017/cm |
体抵抗率
0.1Ω・cm |
流動性
151cm2/Vs |
TaCとSiCコーティングの代表的な物性の比較
| 密度 (gm/cm3) | Emissivity(1) | CTE (x10-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | Etch Rate(2) in NH3 (μm/hr) | Etch Rate(3) in H2 (μm/hr) | 厚みのばらつき | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
密度 (gm/cm3)
14.3 |
Emissivity(1)
0.3 |
CTE (x10-6/K)
6.3 |
硬度 (HK)
2000 |
抵抗率 (Ohm-cm)
1×10-5 |
耐熱性
>2200 °C |
Etch Rate(2) in NH3 (μm/hr)
0.2 |
Etch Rate(3) in H2 (μm/hr)
0.1 |
厚みのばらつき
~5% |
|
SiC |
密度 (gm/cm3)
3.2 |
Emissivity(1)
0.8 |
CTE (x10-6/K)
4.5 |
硬度 (HK)
2800 |
抵抗率 (Ohm-cm)
2×10-3 |
耐熱性
<1600 °C |
Etch Rate(2) in NH3 (μm/hr)
1.5 |
Etch Rate(3) in H2 (μm/hr)
1.7 |
厚みのばらつき
~10% |
注記：テストデータ、 実際の結果と異なる場合があります。
物性は一般的なものであり開発のための規格値ではありません
(1) 放射率 950nm/1000℃での値
(2) NH3でのエッチングレート 1400℃/500Torrでの値
(3) H2でのエッチングレート 1400℃/760Torrでの値
製品データシートをダウンロード
TaC被覆黒鉛炉部品
* indicates required fields
詳細情報
TaC被覆黒鉛炉部品
* indicates required fields
