セラミック材料
TACコーティンググラファイトウエハキャリア
GAN及びSIC薄膜形成装置向け
モメンティブ・テクノロジーは、炭化タンタル（TaC）コーティングとして知られる独自のコーティング技術を提供しています。 その高温で
の安定性及び耐化学品特性によりTaCがグラファイト反応炉部品の寿命を延ばし、LED, DUV, パワーエレクトロニクスに使われるGaN及びSiC デバイスのプロセス収率と製品品質を向上させることができます。
製品の特長
- >2200℃での高温安定性
- 超高純度
- H2, NH3及びSiH4に対する耐性
- 耐熱衝撃性
- グラファイトへの高接着性
- コーティングカバレッジ性
- 直径750mmまでの拡張性
主な用途
- ウエハキャリア
- 誘導加熱サセプタ
- 加熱電極
- サテライトディスク
- シャワーヘッド
- インジェクションノズル
- マスキングリング
- 遮熱板
高結晶性及び高均質性のTACコーティング
1500℃NH3環境下におけるTAC及びSICの耐腐食性
TaCとSiCコーティングの代表的な物性の比較
| 密度 (gm/cm3) | Emissivity(1) | CTE (x10-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | Etch Rate(2) in NH3 (μm/hr) | Etch Rate(3) in H3 (μm/hr) | 厚みのばらつき | グラファイトの寸法変化 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1×10-5 |
>2200 °C |
0.2 |
0.1 |
~5% |
~17 μm |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2×10-3 |
<1600 °C |
1.5 |
1.7 |
~10% |
~100 μm |
注記：テストデータ、 実際の結果と異なる場合があります。
物性は一般的なものであり開発のための規格値ではありません
(1) 放射率 950nm/1000℃での値
(2) NH3でのエッチングレート 1400℃/500Torrでの値
(3) H2でのエッチングレート 1400℃/760Torrでの値
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